晶体硅光电池 有 单晶硅 与 多晶硅 两大类,用P型（或n型）硅 衬底,通过磷（或硼）扩散形成 Pn结 而制作成的,生产技术 成熟,是 光伏 市场上的 主导产品。
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是
2018年1月24日 · 以硅材料为基体的硅光电池,可以使用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制造。单晶硅光电池是目前应用最高广的一种,它有2CR和2DR两种类型,其中2CR型硅光电池采用N型单晶硅制造,2DR型硅光电池刚采用P型单晶硅制造。 硅光电池的工作原理是光生伏特
2017年11月28日 · 晶体硅光电池的种类有哪些? 晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类,用P型（或n型）硅衬底,通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作,生产技术成熟,
2017年8月31日 · 国产同质结硅光电池因衬底材料导电类型不同而分成2CR系列和2DR系列两种。 2CR系列硅光电池是以N型硅为衬底,P型硅为受光面的光电池。 受光面上的电极称为前极或上电极,为了减少遮光,前极多作成梳状。 衬底方面的电极称为后极或下电极。 为了减少反射光,增加透射光,一般都在受光面上涂有SiO2或MgF2,Si3N4,SiO2－MgF2等材料的防反射膜,同
2019年8月23日 · 硅光电池(硅光电半导体探测器),这个产品学术定义范畴很广泛,包括 硅光电二极管,硅光电探测器等。 通常被解释为经过释放和加速半导体中的电
2014年12月1日 · 当光照射在距太阳能电池表面很近的PN结时,只要入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度,则在P区、N区和结区光子会被吸收产生电子－空穴对。 在P区与N区交界面的两侧即结区,存在一空间电荷区。
2005年7月23日 · 光电池是一种很重要的光电探测元件,它不需要外加电源而能直接把光能转换成电能.光电池的种类很多,常见的有硒,锗,硅,砷化镓等.其中最高受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点:性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等.同时,硅光电池的光谱灵敏度与人眼的灵敏度较为接近,所以很多分析仪器和测量仪器常用到它.本实验仅对硅光电池的基本特性和
国产同质结硅光电池因衬底材料导电类型不同而分 成2CR系列和2DR系列两种。 2CR系列硅光电池是 以N型硅为衬底,P型硅为受光面的光电池。 受光面 上的电极称为前极或上电极,为了减少遮光,前极 多作成梳状。 衬底方面的电极称为后极或下电极。 为了减少反射光,增加透射光,一般都在受光面上 涂有SiO2或MgF2,Si3N4,SiO2－MgF2等材料的防反 射膜,同时也可以起到
2018年4月25日 · 在线性测量中,不仅要求光电池有高的灵敏度和稳定性,同时还要求与人 眼视见函数有相似的光谱响应特性。下图是2CR型硅光电池的光谱曲线(右),其响应范围为0.4～1.1μ m,峰值波长为0.8～0.9μ m,右图中的硒光电 池的光谱响应曲线与视见函数相似。