2022年12月16日 · 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在硅片表面发生化学反应,生成固态沉积物的过程。 TOPCon电池工艺流程中主要涉及LPCVD…
扩散是一种由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程,将掺杂杂质沉积到硅片表面,由于热运动,原子从一个位置运动到另一个位置,基体原子与杂质原子不断地相互混合,从而改变基片表面层杂质掺杂。
2024年12月14日 · 本章首先从光伏电池生产的核心环节（清洗制绒、扩散制结、沉积镀膜、金属化）入手,厘清各环节的制作原理及主流工艺设备,之后从TOPCon、HJT及XBC电池角度,分别梳理各自路线的主要工艺环节及电池生产成本,由此形成不同电池技术的成本比较框架与
2024年10月9日 · TOPCon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩,再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备,之后再正面 Al2O3膜层制备、正反面SiNx膜制备,最高后金属化。 与PERC时代时工艺路线之争相似,TOPCon工艺路线同样存在诸多争议与分歧。 整体看,TOPCon工艺的核心争议在掺杂多晶硅层的制备方法上,分为LPCVD / PECVD / PVD路线。 隧穿层SiO2膜的制备方法可以
2024年10月9日 · 湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片 HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。 刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不
2024年3月7日 · P-N 结是光伏电池的"心脏",是太阳能电池实现光能到电能转换的关键,在N型硅片（掺磷）上扩散P型元素（硼）形成P-N结（即空间电荷区）,在正面形成P+层,背面形成N+层。
2024年7月26日 · 真空镀膜（又称薄膜沉积）是光伏电池制造的核心工艺,真空镀膜设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层,使之具备一定的特殊性能,广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。
2017年11月27日 · 电池片工艺流程共分为7步: 第一名步：制绒(INTEX) 第二步： 扩散(DIFF) 第三步： 后清洗(刻边/去PSG) 第四步： 镀减反射膜(PECVD) 第五步： 丝网、烧结(PRINTER) 第六步： 测试、分选(TESTER+SORTER) 第七步： 包装(PACKING) 1 制绒
2022年8月4日 · 使用离子注入技术可获得均匀性好、结深精确确可控的p区和n区,电池正面无栅线遮挡,可消除金属电极的遮光电流损失,实现入射光子的最高大利用化,较常规太阳电池短路电流可提高7%左右；由于背接触结构,不必考虑栅线遮挡问题,可适当加宽栅线比例,从而
2024年4月19日 · 本文从光伏电池生产的核心环节（清洗制绒、扩散制结、沉积镀膜、金属化）入手,厘清各环节的制作原理及主流工艺设备。 （一）核心工艺与技术路线差异