本文利用AFORS-HET软件对HIT和TOPCon太阳能电池进行了理论模拟,为高效晶体硅太阳能电池的设计与优化提供借鉴与参考。 模拟优化结构为TCO/n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-Si/i-a-Si:H/p+-a-Si:H/TCO的HIT电池各层厚度、掺杂浓度、禁带宽度的最高佳值。
2018年8月24日 · 为了了解前电极的 Ag 2Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及 Ag 2Si 接触的形成机理进行了分析,提出了 4 种 Ag,solarbe文库 首页 资源分类
在高效晶体硅电池中,目前国内外研究热点是HIT电池和TOPCon电池,它们分别采用本征氢化非晶体硅/掺杂非晶体硅和氧化硅/掺杂多晶体硅,实现对晶体硅前后表面进行全方位面钝化和选择性载流子输运,这种选择性全方位钝化接触对提高太阳能电池的开路电压(VOC)和填充
2013年10月16日 · 太阳电池的背面覆盖物—氟塑料膜为白色,对阳光起反射作 用,因此对组件的效率略有提高,并因其具有较高的红外发 射率,还可降低组件的工作温度,也有利于提高组件的效率。
主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结构,减少晶体硅与
2015年11月27日 · 本文根据晶体硅太阳电池的 基本结构,分析造成电池光电转换效率低的自然限 制及技术性损失,即光学损失、复合损失、电学损失 机理 . 对电池器件结构的设计、制造工艺技术的优化 有重要指导意义 .
2017年5月21日 · 因此及时总结硅异质结太阳电池的物理机制和优化设计非常必要. 本文主要讨论了晶硅表 面钝化、发射极掺杂层和透明导电层之间的功函数失配以及由此形成的肖特基势垒; 讨论了屏蔽由功函数失
2019年7月20日 · 为了了解前电极的 Ag 2 Si接触形成机理以及电流传输机制, 对前电极烧结工艺以及 Ag 2 Si 接触的形成机理进行了分析, 提出了 4 种 Ag 2 Si 界面的接触形式。根据不同的界面接触形式, 指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最高主要的电流传输方式。 关键词 太阳电池 前电极 烧结 Ag 2 Si 接触... ・晶体硅太阳电池前电极形成机理分析3李军勇, 梁宗存, 赵汝
摘要： 目前市场上85%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极.为了了解前电极的Ag-Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及Ag-Si接触的形成机理进行了分析,提出了4种Ag-Si界面的接触形式.根据不同的界面接触形式,指出两步
根据晶 体硅太阳电池的基本结构,详细分析了造成晶体硅太阳电池各项效率损失的物理因素和损失机理, 对太阳电池器件结构的பைடு நூலகம்计,制造工艺技术的优化有重要指导意义。